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专利状态

三维存储器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2021-08-26

申请公布

2021-11-30

授权

2023-08-08

预估到期

2041-08-26

专利基础信息

申请号	CN202110991370.6	申请日	2021-08-26
申请公布号	CN113725228A	申请公布日	2021-11-30
授权公布号	CN113725228B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2021-12-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20210826
2021-11-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括：提供表面具有堆叠体的衬底，堆叠体包括沿远离衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层，在堆叠体中形成贯穿至衬底的沟道通孔，沟道通孔具有第一侧壁；顺序形成覆盖第一侧壁的功能层和沟道层，沟道层位于功能层远离第一侧壁的一侧；形成覆盖第一侧壁顶部的保护层，并在沟道通孔中原子层沉积介电材料，以形成介电填充层，且沟道层和功能层顺序环绕介电填充层，以形成沟道结构。由于在原子层沉积介电材料之前，先形成覆盖第一侧壁顶部的保护层，从而能够通过该保护层防止原子层沉积工艺中抑制气体对沟道侧壁顶部的影响，避免了位于侧壁顶部的沟道层和功能层被破损，进而保证了器件性能。

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