半导体器件、系统及其形成方法

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专利状态

半导体器件、系统及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2021-08-11

申请公布

2021-12-14

授权

2023-11-24

预估到期

2041-08-11

专利基础信息

申请号	CN202180002627.9	申请日	2021-08-11
申请公布号	CN113795913A	申请公布日	2021-12-14
授权公布号	CN113795913B	授权公告日	2023-11-24
分类号	H01L21/768;H01L21/762
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-24

授权

状态信息

授权
2021-12-31

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20210811
2021-12-14

公布

状态信息

公布

摘要

在某些方面中，一种半导体器件包括衬底、在衬底中的第一沟槽隔离、在衬底中并且围绕衬底的一部分的第二沟槽隔离、以及延伸穿过第一沟槽隔离的第一布线电极层。衬底的该部分是晶体管的有源区域。

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