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专利状态

三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-28

申请公布

2021-08-27

授权

2023-08-08

预估到期

2040-04-28

专利基础信息

申请号	CN202110523826.6	申请日	2020-04-28
申请公布号	CN113314543A	申请公布日	2021-08-27
授权公布号	CN113314543B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2021-09-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200428
2021-08-27

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制备方法。方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括形成于衬底的表面的叠层结构；刻蚀所述叠层结构以形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；以及在所述沟道孔的侧壁依次形成阻挡层、电荷捕获层和隧穿层，其中，所述隧穿层位于所述沟道孔的顶部和底部的部分与所述阻挡层抵接以使所述电荷捕获层被所述隧穿层和所述阻挡层包围。本申请的技术方案解决了现有技术中具有横向扩展的沟道插塞中，电荷易从电荷捕获层扩散出去，使得电荷在沟道插塞处聚集的的风险大大增加，影响三维存储器的可靠性的问题。

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