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专利状态
存储器及其形成方法、存储器的存储单元的选择方法
有效
专利申请进度
申请
2019-01-09
申请公布
2019-05-21
授权
2023-10-17
预估到期
2039-01-09
专利基础信息
申请号
CN201910018104.8
申请日
2019-01-09
申请公布号
CN109786387A
申请公布日
2019-05-21
授权公布号
CN109786387B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H10B43/00;H10B43/20;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2019-06-14
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11563;申请日:20190109
2019-05-21
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种存储器及其形成方法以及存储器的存储单元的选择方法,所述存储器的形成方法包括:提供一存储基底,所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构,所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙;对所述衬底背面进行减薄;在所述减薄后的衬底背面形成介质层;形成贯穿所述介质层且连接至沟道柱结构底部的接触部;在所述介质层表面形成源线,位于同一行的接触部连接至同一源线。上述方法有利于提高存储器的存储密度。
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