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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-10-23

申请公布

2020-02-21

授权

2023-07-21

预估到期

2039-10-23

专利基础信息

申请号	CN201911009856.4	申请日	2019-10-23
申请公布号	CN110828469A	申请公布日	2020-02-21
授权公布号	CN110828469B	授权公告日	2023-07-21
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2020-03-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20191023
2020-02-21

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；栅叠层结构，位于所述衬底上方，包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；多个沟道柱和多个通道孔，贯穿所述栅叠层结构；掺杂区，位于所述通道孔底部且形成于所述衬底内；第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；第二导电层，覆盖所述第一导电层的侧壁和底部；以及芯部，位于所述通道孔内以及所述掺杂区的上方，所述芯部的侧壁由所述第二导电层包覆，其中，所述第二导电层的材料包括钨。由第二导电层包覆芯部，将第二导电层与芯部的应力相互抵消，以平衡栅叠层结构受到的应力，解决栅线缝隙的顶部开口的尺寸变化问题。

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