具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法

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专利状态

具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2021-06-21

申请公布

2021-11-05

授权

2023-07-14

预估到期

2041-06-21

专利基础信息

申请号	CN202180001876.6	申请日	2021-06-21
申请公布号	CN113614921A	申请公布日	2021-11-05
授权公布号	CN113614921B	授权公告日	2023-07-14
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-14

授权

状态信息

授权
2021-11-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20210621
2021-11-05

公布

状态信息

公布

摘要

一种三维（3D）存储器器件包括掺杂半导体层、堆叠层结构、沟道结构和半导体结构。堆叠层结构包括形成在掺杂半导体层上的多条字线和选择栅极线。沟道结构沿着第一方向延伸穿过多条字线并且与掺杂半导体层接触。半导体结构沿着第一方向延伸穿过选择栅极线并且与沟道结构接触。选择栅极线沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，并且半导体结构周围的漏极选择栅极线与相邻半导体结构周围的漏极选择栅极线绝缘。半导体结构的宽度小于沟道结构的宽度。

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