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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-02-27

申请公布

2020-09-04

授权

2023-10-17

预估到期

2039-02-27

专利基础信息

申请号	CN201910146909.0	申请日	2019-02-27
申请公布号	CN111627858A	申请公布日	2020-09-04
授权公布号	CN111627858B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2020-09-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190227
2020-09-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有多个分立的初始鳍部，初始鳍部具有第一导热系数；在初始鳍部露出的衬底上形成隔离材料层，隔离材料层覆盖初始鳍部的侧壁；去除部分厚度初始鳍部，在隔离材料层内形成沟槽，且剩余初始鳍部作为伪鳍部；在沟槽内形成鳍部，鳍部具有第二导热系数，第一导热系数大于第二导热系数；形成鳍部后，去除部分厚度隔离材料层，形成底部隔离层，底部隔离层至少覆盖伪鳍部的侧壁。本发明在鳍部和衬底之间引入伪鳍部，且伪鳍部材料的导热系数更高，相应增强器件工作时产生的热量向衬底内的散发效果，从而改善了器件的自发热效应，进而使器件性能得到改善。

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