一种熔丝存储单元、存储阵列以及存储阵列的工作方法

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专利状态

一种熔丝存储单元、存储阵列以及存储阵列的工作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-08

申请公布

2021-07-09

授权

2024-02-27

预估到期

2040-01-08

专利基础信息

申请号	CN202010018907.6	申请日	2020-01-08
申请公布号	CN113096717A	申请公布日	2021-07-09
授权公布号	CN113096717B	授权公告日	2024-02-27
分类号	G11C17/18
分类	信息存储;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2021-07-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C17/18；申请日:20200108
2021-07-09

公布

状态信息

公布

摘要

一种熔丝存储单元、存储阵列以及存储阵列的工作方法，存储阵列包括：M个存储单元，M为大于或等于1的自然数，每个存储单元包括：晶体管；N个熔丝元件，N为大于或等于1的自然数，所述每个熔丝元件包括第一端和第二端，所述每个熔丝元件的第一端分别与所述晶体管的漏极连接，所述第二端用于输入读取电压或编程电压。所述熔丝存储阵列在芯片上的面积得以缩小。

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