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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-07-09
申请公布
2020-01-17
授权
2023-10-17
预估到期
2038-07-09
专利基础信息
申请号
CN201810747374.8
申请日
2018-07-09
申请公布号
CN110707010A
申请公布日
2020-01-17
授权公布号
CN110707010B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-02-18
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20180709
2020-01-17
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底以及凸出于衬底的多个分立鳍部;形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁;在栅极结构露出的衬底上形成层间介质层,层间介质层至少覆盖鳍部的部分侧壁;去除栅极结构两侧部分厚度的鳍部,剩余鳍部和层间介质层围成凹槽;在凹槽内形成源漏掺杂层。本发明在形成层间介质层之后形成凹槽,随后在凹槽内形成源漏掺杂层;在形成凹槽之前,通常会在栅极结构两侧的鳍部侧壁上形成掩膜层,通过在形成凹槽之前形成层间介质层的方式,使层间介质层对掩膜层起到支撑作用,从而降低掩膜层发生坍塌的概率,进而有利于提升器件性能。
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