半导体结构的形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-29

申请公布

2021-10-29

授权

2024-01-26

预估到期

2040-04-29

专利基础信息

申请号	CN202010358273.9	申请日	2020-04-29
申请公布号	CN113571466A	申请公布日	2021-10-29
授权公布号	CN113571466B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/768
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-11-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20200429
2021-10-29

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底中形成有前层互连结构，前层互连结构包括待连接互连结构；采用选择性沉积工艺在前层互连结构顶面形成牺牲层；在基底上形成覆盖牺牲层侧壁的第一介电层；去除牺牲层，在第一介电层中形成露出待连接互连结构的第一互连开口；形成覆盖第一介电层的第二介电层，第二介电层的被刻蚀速率大于第一介电层的被刻蚀速率；在第二介电层中形成第二互连开口，第二互连开口底部和第一互连开口顶部相连，第二互连开口和第一互连开口构成互连开口；在互连开口中形成互连结构。通过形成具有刻蚀选择比的第二介电层和第一介电层，并预先形成位置精准的第一互连开口，提高了互连开口和待连接互连结构的对准精度。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信