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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-31

申请公布

2022-02-18

授权

2024-03-22

预估到期

2040-07-31

专利基础信息

申请号	CN202010760746.8	申请日	2020-07-31
申请公布号	CN114068704A	申请公布日	2022-02-18
授权公布号	CN114068704B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L29/78;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2022-03-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20200731
2022-02-18

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区，基底包括衬底以及分立于衬底上的鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构；在隔离结构上形成横跨鳍部的伪栅结构，包括位于鳍部的顶面和侧壁的栅氧化层、以及位于栅氧化层上的伪栅层；在伪栅结构侧部的隔离结构上形成层间介质层；去除伪栅层，形成栅极开口；在第一器件区的栅极开口下方的隔离结构上形成覆盖层，覆盖层的顶面低于鳍部的顶面；去除覆盖层露出的栅氧化层，以及沿覆盖层和栅氧化层的界面处，去除被覆盖层覆盖的栅氧化层；去除覆盖层。本发明实施例有利于降低隔离结构受损的几率，进而提高隔离结构的顶面高度一致性和平坦度。

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