半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-02-11

申请公布

2020-08-18

授权

2024-02-06

预估到期

2039-02-11

专利基础信息

申请号	CN201910110249.0	申请日	2019-02-11
申请公布号	CN111554636A	申请公布日	2020-08-18
授权公布号	CN111554636B	授权公告日	2024-02-06
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-02-06

授权

状态信息

授权
2020-09-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190211
2020-08-18

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区和位于相邻器件区之间的隔离区，器件区和隔离区的基底上形成有栅极结构，栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，露出栅极结构顶部；去除隔离区的栅极结构以及其底部的部分厚度基底，在层间介质层和基底内形成开口；形成研磨停止层，覆盖层间介质层顶部以及器件区栅极结构顶部；形成填充开口且覆盖研磨停止层的介电材料层；以位于层间介质层顶部的研磨停止层为停止位置，对介电材料层进行平坦化处理，去除位于层间介质层顶部和栅极结构顶部的介电材料层，保留位于开口内的介电材料层作为隔离结构。本发明实施例提高了栅极结构顶部和层间介质层顶部的高度一致性。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信