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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-06

申请公布

2022-01-07

授权

2023-12-22

预估到期

2040-07-06

专利基础信息

申请号	CN202010642686.X	申请日	2020-07-06
申请公布号	CN113903810A	申请公布日	2022-01-07
授权公布号	CN113903810B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2022-01-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的二极管区；位于所述二极管区上的第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括若干层沿所述衬底表面法线方向重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层所述第一牺牲层之间的第一沟道层；位于所述第一鳍部结构上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部结构。由于所述第一鳍部结构保留了所述第一牺牲层，使得最终形成的栅控二极管结构的电流可同时从所述第一牺牲层和所述第一沟道层导通，进而使得所述栅控二极管导通的电流增大，导通速度也相应的提升，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

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