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专利状态
三维存储装置及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2021-06-07
申请公布
2021-10-19
授权
2023-07-21
预估到期
2041-06-07
专利基础信息
申请号
CN202180001810.7
申请日
2021-06-07
申请公布号
CN113519055A
申请公布日
2021-10-19
授权公布号
CN113519055B
授权公告日
2023-07-21
分类号
H10B41/50;H10B41/27;H10B43/50;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-07-21
授权
状态信息
授权
2021-11-05
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11548;申请日:20210607
2021-10-19
公布
状态信息
公布
摘要
公开了三维(3D)存储装置及其形成方法。在某些方面,3D存储装置包括第一半导体结构、与第一半导体结构相对的第二半导体结构、以及在第一半导体结构和第二半导体结构之间的界面层。第一半导体结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的存储堆叠层。第二半导体结构包括电连接到存储堆叠层的多个外围电路。界面层包括单晶硅和在存储堆叠层与外围电路之间的多个互连。
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10
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12
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13
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19
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20
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