半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-29

申请公布

2021-03-26

授权

2023-09-01

预估到期

2038-06-29

专利基础信息

申请号	CN201880096611.7	申请日	2018-06-29
申请公布号	CN112567521A	申请公布日	2021-03-26
授权公布号	CN112567521B	授权公告日	2023-09-01
分类号	H01L27/146;H01L21/768
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-09-01

授权

状态信息

授权
2021-03-26

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一基底（100）；位于第一基底表面的第一键合层（200），第一键合层的材料为包含Si、N和C的介质材料。半导体结构的第一键合层在键合时能够具有较高的键合力。

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