具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程

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专利状态

具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程

有效

专利申请进度

申请

2021-01-04

申请公布

2021-05-07

授权

2023-12-26

预估到期

2041-01-04

专利基础信息

申请号	CN202180000115.9	申请日	2021-01-04
申请公布号	CN112771616A	申请公布日	2021-05-07
授权公布号	CN112771616B	授权公告日	2023-12-26
分类号	G11C16/04;G11C16/34;H10B43/20
分类	信息存储;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-26

授权

状态信息

授权
2021-05-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种三维存储器器件，包括：第一组存储器层、第二组存储器层、以及第一虚设存储器层；NAND存储器串，均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层；外围电路，被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个进行编程，并包括如下配置的字线驱动电路：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时，在与第一存储器层相关联的预充电周期期间，将第一预充电电压施加到第一虚设存储器层；以及在对第一组存储器层中的位于第一存储器层上方的第二存储器层进行编程时，在与第二存储器层相关联的预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。

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