双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-17

申请公布

2021-04-16

授权

2023-09-12

预估到期

2040-01-17

专利基础信息

申请号	CN202011540491.0	申请日	2020-01-17
申请公布号	CN112670297A	申请公布日	2021-04-16
授权公布号	CN112670297B	授权公告日	2023-09-12
分类号	H10B43/30;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-12

授权

状态信息

授权
2021-05-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11568；申请日:20200117
2021-04-16

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种用于形成三维（3D）存储器件的方法。在一些实施例中，该方法包括：在衬底上形成交替介电堆叠体；以及形成多个沟道孔，多个沟道孔垂直地穿透交替介电堆叠体以暴露衬底的至少一部分。可以形成第一掩模以覆盖第一区域中的沟道孔并且暴露第二区域中的沟道孔。该方法还包括：在第二区域中的交替介电堆叠体中形成凹槽，然后在凹槽中形成第二掩模。第二掩模覆盖第二区域中的沟道孔并且暴露第一区域中的沟道孔。因此，能够去除在第一区域中的每个沟道孔底部的存储膜，而能够通过第二掩模保护第二区域中的存储膜。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信