具有多浮岛结构的半导体器件

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专利状态

具有多浮岛结构的半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2020-07-28

授权

2021-02-09

预估到期

2030-07-28

专利基础信息

申请号	CN202021526876.7	申请日	2020-07-28
授权公布号	CN212517211U	授权公告日	2021-02-09
分类号	H01L29/06;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2021-02-09

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种具有多浮岛结构的半导体器件，包括N型衬底、N型外延层、源极、第一栅极和第二栅极，其中，N型外延层生长在N型衬底上，包括：第一沟槽和第二沟槽；多个浮岛，其中，一部分浮岛沿第一沟槽的垂直方向依次设置在第一沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第一沟槽的底部，另一部分浮岛沿第二沟槽的垂直方向依次设置在第二沟槽的下方，并且处于最上方的浮岛覆盖在第二沟槽的底部；设置在第一沟槽和第二沟槽之间的P层和N+源层，其中，N+源层设置在P层的上方，并且，N+源层和P层均与源极相连，第一栅极设置在第一沟槽的上方，第二栅极设置在第二沟槽的上方。由此，能够有效地提高半导体器件的耐压能力，同时降低导通电阻。

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