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专利状态

IGBT半桥功率模块

有效

专利申请进度

申请

2011-12-22

申请公布

2012-06-20

授权

2013-10-30

预估到期

2031-12-22

专利基础信息

申请号	CN201110433197.4	申请日	2011-12-22
申请公布号	CN102510204A	申请公布日	2012-06-20
授权公布号	CN102510204B	授权公告日	2013-10-30
分类号	H02M1/00;H01L25/07
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2020-07-31

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H02M1/00 变更前专利权人:江苏宏微科技有限公司变更前地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号变更后专利权人:江苏宏微科技股份有限公司变更后地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
2013-10-30

授权

状态信息

授权
2012-07-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/00申请日:20111222
2012-06-20

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分的至少两个输入电极和至少一个输出电极通过覆金属陶瓷基板与铜底板连接，两个输入电极的槽形底面相对设置，外壳的顶板分别设有与各输入电极和输出电极对应的插槽，具有螺母座的插板对应安装在各插槽内，各输入电极的引出部分的竖边分别穿出自各对应插板与插槽之间电极槽，其顶部的水平连接板位于插板的顶面，输出电极的引出部分的竖边穿出所对应插板与插槽之间电极槽，其顶部的水平连接板位于插板的顶面。本发明能同时兼顾小电感和电极小应力，便于制作和安装，且加工成本不高。

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