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专利状态

IGBT功率半桥模块

有效

专利申请进度

申请

2011-06-30

申请公布

2011-11-23

授权

2013-03-06

预估到期

2031-06-30

专利基础信息

申请号	CN201110182283.2	申请日	2011-06-30
申请公布号	CN102254902A	申请公布日	2011-11-23
授权公布号	CN102254902B	授权公告日	2013-03-06
分类号	H01L25/07;H01L25/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2020-07-31

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L25/07 变更前专利权人:江苏宏微科技有限公司变更前地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号变更后专利权人:江苏宏微科技股份有限公司变更后地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
2013-03-06

授权

状态信息

授权
2012-01-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/07申请日:20110630
2011-11-23

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种IGBT功率半桥模块，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板上，主电极的一侧与覆金属陶瓷基板连接、另一侧穿出壳体，覆金属陶瓷基板连接在铜底板上，铜底板固定在壳体上，覆金属陶瓷基板、半导体芯片和主电极用绝缘胶绝缘密封在壳体内，主电极由设置在壳体内且截面呈槽形的弯折部分和引出部分构成，主电极的槽形外槽侧壁固定在覆金属陶瓷基板上、内槽侧壁接近壳体内壁，第一输入电极的槽形底面与第二输入电极槽形底面相对设置，壳体顶部向下伸延的隔板设置与第一输入电极和第二输入电极的槽形底面之间且下部设置在绝缘胶内密封。本发明结构合理，既能增加两输入电极之间正对面积，减小主回路电感，又能确保绝缘性能。

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