栅极集成电阻结构和功率器件

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专利状态

栅极集成电阻结构和功率器件

有效

专利申请进度

申请

2018-12-12

授权

2019-08-20

预估到期

2028-12-12

专利基础信息

申请号	CN201822086251.2	申请日	2018-12-12
授权公布号	CN209282198U	授权公告日	2019-08-20
分类号	H01L23/64
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2019-08-20

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种栅极集成电阻结构和功率器件，其中，在衬底上开设的元胞区的多个横向沟槽均延长至电阻区，以在电阻区形成多个沟槽延长段，并在每个横向沟槽内沉积多晶硅，栅极集成电阻结构包括：在每个沟槽延长段内沉积的多晶硅段；从每个多晶硅段的第一端和第二端分别引出的接触孔；通过从每个多晶硅段的第一端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第一金属层；通过从每个多晶硅段的第二端引出的接触孔与该多晶硅段相连接的第二金属层。本实用新型制造工艺简单，成本较低，并且解决了此前不能制备沟槽型平坦化器件的栅极集成电阻的问题。

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