沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法

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专利状态

沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2013-12-12

申请公布

2015-06-17

授权

2018-10-19

预估到期

2033-12-12

专利基础信息

申请号	CN201310675999.5	申请日	2013-12-12
申请公布号	CN104716028A	申请公布日	2015-06-17
授权公布号	CN104716028B	授权公告日	2018-10-19
分类号	H01L21/28
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2018-10-19

授权

状态信息

授权
2015-07-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20131212
2015-06-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构的制备方法，按以下步骤进行，⑴、场限环制作，⑵、氧化、光刻有源区，⑶、淀积阻挡氧化层，⑷、刻蚀阻挡氧化层，⑸、刻蚀沟槽区，⑹、栅氧化、淀积多晶硅，⑺、刻蚀多晶硅，⑻、硼磷硅玻璃淀积，⑼、光刻、刻蚀栅极引线槽，⑽、金属层淀积及钝化层淀积和光刻。本发明在不增加其他工艺成本的基础上，省去多晶硅光刻工艺，而工艺对引线沟的槽宽度没有特别的要求，既简化了工艺要求，又缩减了制作成本。

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