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专利状态
一种二极管
有效
专利申请进度
申请
2020-12-24
授权
2021-08-24
预估到期
2030-12-24
专利基础信息
申请号
CN202023160189.0
申请日
2020-12-24
授权公布号
CN214043673U
授权公告日
2021-08-24
分类号
H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2021-08-24
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种二极管,所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构,N基体上形成有有源区P+层,有源区P+层内设有多个mos结构,有源区P+层上设有阳极金属,mos结构包括沟槽,沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅,沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层,沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属,当二极管施加反向电压增大时,多晶硅施加开启电压,沟槽外形成导电沟道,导电沟道与二极管内的空间电荷区连接,二极管内形成反向电流。本实用新型提供的一种二极管,能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力,并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。
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