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专利状态
制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法
有效
专利申请进度
申请
2010-12-24
申请公布
2011-08-03
授权
2012-10-24
预估到期
2030-12-24
专利基础信息
申请号 CN201010603565.0 申请日 2010-12-24
申请公布号 CN102142372A 申请公布日 2011-08-03
授权公布号 CN102142372B 授权公告日 2012-10-24
分类号 H01L21/331;H01L21/28;H01L21/223;H01L21/265
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
  • 2020-07-28
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/331 变更前专利权人:江苏宏微科技有限公司 变更前地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号 变更后专利权人:江苏宏微科技股份有限公司 变更后地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
  • 2012-10-24
    授权
    状态信息
    授权
  • 2011-09-28
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/331申请日:20101224
  • 2011-08-03
    公布
    状态信息
    公开
摘要
本发明涉及一种制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法,N-型单晶片清洗后在正反两表面预扩散N+型半导体杂质,经主扩散、推结形成N+杂质区,研磨去除一个N+杂质区作为硅片正面,抛光硅片正面制得衬底材料,光刻场限环形成场限环P+窗口并进行硼离子注入,再光刻形成源区窗口,硅片栅氧化后进行多晶硅淀积和掺杂,在多晶硅栅窗口内离子注入并扩散形成P杂质区和N+杂质区,进行绝缘介质层淀积和回流、光刻引线孔,淀积金属层形成发射极和栅极;将硅片背面的N+杂质区磨消减薄,将硼离子注入后退火形成P+杂质区,淀积金属层形成集电极。本发明具有简化工艺流程,制造成本低,有利于实现IGBT软关断的特点。