新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法

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专利状态

新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2011-09-15

申请公布

2011-12-21

授权

2016-08-03

预估到期

2031-09-15

专利基础信息

申请号	CN201110272825.5	申请日	2011-09-15
申请公布号	CN102290436A	申请公布日	2011-12-21
授权公布号	CN102290436B	授权公告日	2016-08-03
分类号	H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2020-07-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L29/06 变更前专利权人:江苏宏微科技有限公司变更前地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号变更后专利权人:江苏宏微科技股份有限公司变更后地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
2016-08-03

授权

状态信息

授权
2012-02-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20110915
2011-12-21

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射区的厚度在0.1～2μm，N型第一阻挡区的厚度在0.1～2μm，P型第一发射区的厚度在0.05～2μm。本发明将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N⁺多级发射区和阻挡区相结合的结构，实现对漂移区内的空穴分布精确控制的目的，在显著提高器件的性能下，解决了欧姆接触和低注入效率的矛盾，较好地解决了通态特性和开关特性之间的协调关系。

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