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专利状态

IGBT器件

有效

专利申请进度

申请

2020-12-24

授权

2021-08-24

预估到期

2030-12-24

专利基础信息

申请号	CN202023167932.5	申请日	2020-12-24
授权公布号	CN214043674U	授权公告日	2021-08-24
分类号	H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2021-08-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种IGBT器件，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本实用新型的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。

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