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专利状态

一种IGBT功率模块封装结构

有效

专利申请进度

申请

2019-09-05

授权

2020-03-17

预估到期

2029-09-05

专利基础信息

申请号	CN201921470396.0	申请日	2019-09-05
授权公布号	CN210156368U	授权公告日	2020-03-17
分类号	H01L23/492;H01L23/498
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2020-03-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其是一种IGBT功率模块封装结构，包括铜底板、外壳、主电极和栅极端子，外壳安装在铜底板上，铜底板上设有覆铜陶瓷基板，主电极焊接在覆铜陶瓷基板上，主电极为叠层母排，覆铜陶瓷基板的周边设有绝缘基板图形面，铜底板上设有与绝缘基板图形面连通的小型绝缘基板，栅极端子焊接于小型绝缘基板上，栅极端子的顶部穿出外壳，本实用新型可以解决传统的IGBT封装结构会导致模块内部杂散电感较大的问题。

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