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专利状态

新型微沟槽IGBT结构

有效

专利申请进度

申请

2020-07-29

授权

2021-02-09

预估到期

2030-07-29

专利基础信息

申请号	CN202021525797.4	申请日	2020-07-29
授权公布号	CN212517213U	授权公告日	2021-02-09
分类号	H01L29/423;H01L29/739
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2021-02-09

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种新型微沟槽IGBT结构，包括衬底和多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有至少两个假沟槽单元和至少一个假栅极单元，并且假栅极单元设置于两个假沟槽单元之间，其中，真栅极单元和假沟槽单元分别对应设有接触孔，真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间、以及假沟槽单元与假栅极单元之间分别对应设有接触孔，并且真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间设有的接触孔还与相邻的假沟槽单元中设有的接触孔相连合并。本实用新型能够具有较小尺寸的合并接触孔，从而能够有效抑制接触孔刻蚀工艺的负载效应，并改善器件的一致性，此外，还能够提高器件的可制造性。

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