复合快恢复二极管及其制备方法

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专利状态

复合快恢复二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2013-12-12

申请公布

2015-06-17

授权

2018-12-21

预估到期

2033-12-12

专利基础信息

申请号	CN201310684131.1	申请日	2013-12-12
申请公布号	CN104716038A	申请公布日	2015-06-17
授权公布号	CN104716038B	授权公告日	2018-12-21
分类号	H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2018-12-21

授权

状态信息

授权
2015-07-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/329申请日:20131212
2015-06-17

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种复合快恢复二极管的制备方法，(1)、氧化、光刻有源区，(2)、N型杂质离子注入，(3)、N推结，(4)、P区注入窗口形成，(5)、P型杂质离子注入，(6)、推结；(7)、肖特基区形成；(8)、金属膜淀积；(9)、背面减薄；(10)、背面金属化，制得复合快恢复二极管。本发明复合快恢复二极管具有正向压降一致性好、雪崩耐量能力高、恢复特性好的特点。

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