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专利状态

一种功率半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2020-12-24

授权

2021-08-24

预估到期

2030-12-24

专利基础信息

申请号	CN202023160225.3	申请日	2020-12-24
授权公布号	CN214043677U	授权公告日	2021-08-24
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2021-08-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本实用新型提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。

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