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专利状态
一种MOSFET
有效
专利申请进度
申请
2019-12-02
授权
2020-07-14
预估到期
2029-12-02
专利基础信息
申请号
CN201922124703.6
申请日
2019-12-02
授权公布号
CN211017080U
授权公告日
2020-07-14
分类号
H01L29/06
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2020-07-14
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型公开了一种MOSFET,包括半导体基底、设置在所述半导体基底上的外延层和多个元胞,所述元胞为对称结构,所述元胞包括两个沟槽栅结构和第一重掺杂层,两个所述沟槽栅结构设置在所述外延层表面内,所述第一重掺杂层设置在两个所述沟槽栅结构之间,所述第一重掺杂层延伸至两个沟槽的底部并覆盖两个所述沟槽底部超出一半的位置。本实用新型可以降低制程工艺难度,提高生产良率。
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