高电流密度的功率半导体器件

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专利状态

高电流密度的功率半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2020-12-18

授权

2021-08-24

预估到期

2030-12-18

专利基础信息

申请号	CN202023080890.1	申请日	2020-12-18
授权公布号	CN214043671U	授权公告日	2021-08-24
分类号	H01L29/06;H01L29/739
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2021-08-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种高电流密度的功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，缓冲区设置于衬底上；基区，基区设置于缓冲区上；沟槽区，沟槽区设置于基区上，沟槽区设有两个真沟槽单元，并且在两个真沟槽单元之间设有Dummy区，Dummy区中设有一个或多个假沟槽单元，其中，真沟槽单元结构形状相同，假沟槽单元结构形状相同，并且假沟槽单元的宽度大于真沟槽单元的宽度。本实用新型能够保证假沟槽单元具有较大的宽度尺寸，从而能够降低整体沟槽密度，以有效减小晶圆应力，从而消除晶圆翘曲，并且还能够降低假沟槽单元的深宽比，从而能够增加假沟槽单元底部拐角的曲率半径，以降低假沟槽单元底部电场集中，提高器件可靠性，此外，还能降低通态损耗。

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