新型绝缘栅双极晶体管的源区结构

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专利状态

新型绝缘栅双极晶体管的源区结构

失效

专利申请进度

申请

2013-12-25

授权

2014-06-04

预估到期

2023-12-25

专利基础信息

申请号	CN201320860117.8	申请日	2013-12-25
授权公布号	CN203631562U	授权公告日	2014-06-04
分类号	H01L29/737;H01L29/08
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2024-01-12

专利权的终止

状态信息

专利权有效期届满；IPC(主分类):H01L 29/737；专利号:ZL2013208601178；申请日:20131225；授权公告日:20140604；终止日期:
2014-06-04

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源区注入区时，经源区电阻区后再通过接触孔引出区流出。本实用新型能对绝缘栅双极晶体管短路电流能力和抗闩锁能力同时进行调整，并能简化工艺降低制造成本。

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