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专利状态
双栅MOS结构的功率晶体管
有效
专利申请进度
申请
2014-03-24
授权
2014-08-13
预估到期
2024-03-24
专利基础信息
申请号
CN201420134117.4
申请日
2014-03-24
授权公布号
CN203774335U
授权公告日
2014-08-13
分类号
H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址
江苏省常州市新北区华山中路18号
专利法律状态
2014-08-13
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管,栅氧化层位于第一掺杂层上,第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅氧化层相连,第三掺杂层位于第二掺杂层内并与栅氧化层相连,绝缘介质层覆在有源区原胞的多晶硅层上,金属层覆在绝缘介质层上并延伸至有源区原胞的引线孔内与第三掺杂层和第二掺杂层相接导通,有源区原胞的多晶硅层包括由绝缘介质层隔离、且相互不连接的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅,第一多晶硅栅和第二多晶硅栅分别通过各自金属引线连接到各自对应的栅极焊接区域,以分别控制第一多晶硅栅和第二多晶硅栅。本实用新型结构简单,将多晶硅层分割成两个能分别控制的多晶硅栅,能灵活控制电流沟道密度,使器件达到最佳性能状态。
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