MOS器件栅极孔的制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

MOS器件栅极孔的制作方法

有效

专利申请进度

申请

2011-12-30

申请公布

2012-06-27

授权

2014-01-29

预估到期

2031-12-30

专利基础信息

申请号	CN201110457512.7	申请日	2011-12-30
申请公布号	CN102522328A	申请公布日	2012-06-27
授权公布号	CN102522328B	授权公告日	2014-01-29
分类号	H01L21/28
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2020-07-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/28 变更前专利权人:江苏宏微科技有限公司变更前地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号变更后专利权人:江苏宏微科技股份有限公司变更后地址:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
2014-01-29

授权

状态信息

授权
2012-09-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20111230
2012-06-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层，或在场环区的栅极孔区域内留下间隔设置的至少两个凸起部分的第一氧化层，光刻有源区窗口，在硅片表面形成第二氧化层、淀积多晶硅层和第三氧化层，再淀积绝缘介质层，在硅片表面涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶并露出栅极孔区域的凸起部分处的绝缘介质层，对露出的缘介质层进行腐蚀并形成栅极孔，金属层淀积及光刻刻蚀形成栅极。本发明能减少MOS器件栅极孔制作工艺流程，节省制作成本。

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