集成在晶体管上纵向PN结的温度传感二极管结构

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专利状态

集成在晶体管上纵向PN结的温度传感二极管结构

有效

专利申请进度

申请

2016-12-31

授权

2017-08-15

预估到期

2026-12-31

专利基础信息

申请号	CN201621494024.8	申请日	2016-12-31
授权公布号	CN206410796U	授权公告日	2017-08-15
分类号	G01K7/02;H01L29/861;H01L23/34
分类	测量；测试;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2017-08-15

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种集成在晶体管上纵向PN结的温度传感二极管结构，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层，第二氧化层具有向下隔离出二极管区域的隔离部分，第二氧化层上部连接有第二多晶硅层和绝缘介质层，绝缘介质层的环形隔离部分将第二多晶硅层形成不相连接的二极管第二掺杂区和位于二极管第二掺杂区外围的隔离保护环，且隔离保护环不闭合，第二多晶硅层向下延伸与二极管第二掺杂区连接形成纵向的PN结，二极管的第一电极与第一多晶硅层连接、第二电极与二极管第二掺杂区连接，保护电极隔离保护环连接，保护电极与第二电极连接形成等电位。本实用新型能够实时探测晶体管芯片温度，能减少外界电流电压及电场变化能对温度传感二极管影响。

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