一种准单晶硅铸锭炉的热场结构

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专利状态

一种准单晶硅铸锭炉的热场结构

有效

专利申请进度

申请

2016-07-15

授权

2017-04-05

预估到期

2026-07-15

专利基础信息

申请号	CN201620749881.1	申请日	2016-07-15
授权公布号	CN206070039U	授权公告日	2017-04-05
分类号	C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新区赛维大道1950号赛维工业园技术研究院

专利法律状态

2017-04-05

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种准单晶硅铸锭炉的热场结构，包括炉体，炉体内上方设置有带导气筒的上保温板和隔热笼，炉体中间设有石英坩埚，石英坩埚外侧设有石墨坩埚，石墨坩埚上方和四周设有加热器，石墨坩埚的下方设有热交换台，炉体内下方设置有支撑柱支撑的底保温板，支撑柱同时支撑热交换台，支撑柱为凸台结构，凸台上套设有一定厚度的垫块，垫块支撑底保温板。本实用新型提供的准单晶硅铸锭炉的热场结构，降低了底保温板和热交换台的距离，使得熔化阶段，热量损耗变小，成本降低。并减小了坩埚边缘区域散热效果，使得在长晶过程中坩埚边缘区域散热更慢，长晶界面会偏凸，有效避免边缘长晶的优先生长，有利于中间区域往四周生长，增大单晶面积比例。

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