一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法和装置

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专利状态

一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法和装置

有效

专利申请进度

申请

2017-05-26

申请公布

2017-09-08

授权

2023-05-12

预估到期

2037-05-26

专利基础信息

申请号	CN201710384116.3	申请日	2017-05-26
申请公布号	CN107142519A	申请公布日	2017-09-08
授权公布号	CN107142519B	授权公告日	2023-05-12
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2023-05-12

授权

状态信息

授权
2017-10-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B28/06；申请日:20170526
2017-09-08

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法，包括：（1）提供测试棒和坩埚，坩埚中装有硅熔体，将测试棒置于硅熔体中，向上提拉，测试测试棒在硅熔体中的拉力值F1；（2）调节温度进入长晶阶段，使硅熔体开始形核结晶形成晶体硅，此时坩埚中包括晶体硅、糊状区和未结晶的硅熔体，将测试棒伸入坩埚中并下降直至到达晶体硅的位置，然后将测试棒向上提拉，提拉的速度与步骤（1）的提拉速度相同，实时监测测试棒在提拉过程中的拉力值F变化；当拉力值F与F1相同时，停止提拉，测试此时测试棒的提升高度，提升高度即为糊状区的厚度L；（3）按照公式G＝（TL–Ts）/L计算出温度梯度G与糊状区厚度L的数量关系，TL–Ts代表硅熔体TL与晶体硅Ts的温度差。

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