一种晶体硅及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

一种晶体硅及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-09-12

申请公布

2016-12-14

授权

2019-01-29

预估到期

2036-09-12

专利基础信息

申请号	CN201610817233.X	申请日	2016-09-12
申请公布号	CN106222742A	申请公布日	2016-12-14
授权公布号	CN106222742B	授权公告日	2019-01-29
分类号	C30B28/06;C30B29/06;C30B11/04;C30B15/04
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2019-01-29

授权

状态信息

授权
2017-01-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20160912
2016-12-14

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内，掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种；掺杂元素包括硼、镓和锑；多晶硅料中，镓、锑和硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1)；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使硅熔体开始长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，解决了晶体硅的电阻率分布较宽的问题，提高了晶体硅的收率；方便了头尾料的回收，降低了晶体硅的应用成本。本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅电阻率分布集中，利用该晶体硅制成的太阳能电池片的光衰大大降低。

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