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专利状态
切割硅锭的装置及方法
有效
专利申请进度
申请
2016-09-07
申请公布
2017-02-01
授权
2017-12-15
预估到期
2036-09-07
专利基础信息
申请号
CN201610808088.9
申请日
2016-09-07
申请公布号
CN106363826A
申请公布日
2017-02-01
授权公布号
CN106363826B
授权公告日
2017-12-15
分类号
B28D5/04
分类
加工水泥、黏土或石料;
申请人名称
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址
江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
专利法律状态
2017-12-15
授权
状态信息
授权
2017-03-01
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):B28D 5/04申请日:20160907
2017-02-01
公布
状态信息
公开
摘要
本发明提供了一种切割硅锭的装置,装置包括升降工作台、布置有切割钢线的两个导轮之间设置的砂浆槽,升降工作台下方连接有待切割的硅锭,升降工作台的两侧设有朝着切割钢线喷射砂浆的砂浆喷嘴;砂浆槽包括上端敞口的槽体,槽体的底部设有漏砂孔;砂浆槽用于在硅锭的切割高度达到第一高度时使已切割的硅锭部分或全部浸泡到砂浆槽中的砂浆;砂浆槽的侧壁还设有快速漏空部件;快速漏空部件用于在硅锭的切割高度达到第二高度时排空砂浆槽中的砂浆,其中,第一高度小于等于待切割硅锭的高度的0.6‑0.7倍,第二高度接近硅锭与升降工作台的连接处。采用该装置能避免切割过程中硅片发生粘连,提高硅片的良品率。本发明还提供了切割硅锭的方法。
更多专利
1
切割硅锭的装置及方法
2
一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片
3
一种线切割用砂浆及其制备方法
4
多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
5
多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法和多晶硅锭及其制备方法
6
多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚
7
一种铸锭过程中去除多晶硅杂质的方法
8
一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法
9
一种晶棒的粘接方法
10
一种多晶硅铸锭炉加热器
11
一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法和装置
12
一种多晶硅锭及其制备方法
13
一种用于测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的装置
14
一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法
15
一种将混合物中硅粉和杂质进行分离的方法
16
一种地面发电用太阳能电池串和太阳能电池组件及其所用的太阳能电池片
17
一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法
18
一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
19
一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法
20
一种散热块和铸锭炉
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