一种多晶硅片及其制备方法

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专利状态

一种多晶硅片及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2013-08-31

申请公布

2013-12-25

授权

2015-11-18

预估到期

2033-08-31

专利基础信息

申请号	CN201310389099.4	申请日	2013-08-31
申请公布号	CN103469292A	申请公布日	2013-12-25
授权公布号	CN103469292B	授权公告日	2015-11-18
分类号	C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2015-11-18

授权

状态信息

授权
2014-01-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20130831
2013-12-25

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种多晶硅片及其制备方法，首先，提供坩埚，将所述坩埚底部划分为一个或多个目标区域，所述目标区域由目标图案区域和非目标图案区域组成，将晶粒尺寸不同的两种籽晶分别铺设在所述目标图案区域和所述非目标图案区域，得到籽晶层；然后在所述籽晶层上填装硅料，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，长晶完成后在多晶硅片上得到和所述目标图案一致或相似的图案，使多晶硅片更加美观和更易识别。

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