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专利状态
一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
有效
专利申请进度
申请
2012-04-01
申请公布
2012-11-14
授权
2015-11-18
预估到期
2032-04-01
专利基础信息
申请号
CN201210096232.2
申请日
2012-04-01
申请公布号
CN102776555A
申请公布日
2012-11-14
授权公布号
CN102776555B
授权公告日
2015-11-18
分类号
C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
分类
晶体生长〔3〕;
申请人名称
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址
江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
专利法律状态
2015-11-18
授权
状态信息
授权
2013-01-09
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20120401
2012-11-14
公布
状态信息
公开
摘要
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,该制备方法包括在坩埚内壁涂上氮化硅层后,在坩埚内从下至上填装硅料;加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体,当硅熔体与未熔化的硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时,调节热场形成过冷状态,使硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶;待全部硅熔体结晶完后,经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核,降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭,以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。
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