一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法

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专利状态

一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法

有效

专利申请进度

申请

2015-04-30

申请公布

2015-07-22

授权

2019-11-29

预估到期

2035-04-30

专利基础信息

申请号	CN201510216828.5	申请日	2015-04-30
申请公布号	CN104790026A	申请公布日	2015-07-22
授权公布号	CN104790026B	授权公告日	2019-11-29
分类号	C30B11/14;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2019-11-29

授权

状态信息

授权
2015-08-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/14申请日:20150430
2015-07-22

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，得到籽晶层；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶上继承单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；(2)取出类单晶硅锭，在类单晶硅锭底部的籽晶位置处进行切割，得到一整块籽晶，籽晶顶部大小和形状与类单晶硅锭底部大小和形状基本相同；(3)将步骤(2)得到的籽晶铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得类单晶硅锭。本发明提供的方法不会导致籽晶出现崩边缺角的现象，同时不会在籽晶中引入新的拼接缝，制得的类单晶硅锭位错少，质量好，大大降低了铸造类单晶的籽晶成本。

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