多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

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专利状态

多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

有效

专利申请进度

申请

2012-04-01

申请公布

2012-11-14

授权

2017-12-15

预估到期

2032-04-01

专利基础信息

申请号	CN201210096188.5	申请日	2012-04-01
申请公布号	CN102776560A	申请公布日	2012-11-14
授权公布号	CN102776560B	授权公告日	2017-12-15
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2017-12-15

授权

状态信息

授权
2013-01-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20120401
2012-11-28

著录事项变更

状态信息

著录事项变更IPC(主分类):C30B 28/06变更事项:发明人变更前:胡动力何亮雷琦钟德京张涛万跃鹏变更后:胡动力陈红荣张涛万跃鹏
2012-11-14

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶的晶向不限；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得高质量的多晶硅锭。该制备方法能够有效抑制位错的增殖，并且所使用的籽晶来源广泛，成本低，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。

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