一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

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专利状态

一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2012-02-01

申请公布

2012-07-18

授权

2015-03-11

预估到期

2032-02-01

专利基础信息

申请号	CN201210022550.4	申请日	2012-02-01
申请公布号	CN102586856A	申请公布日	2012-07-18
授权公布号	CN102586856B	授权公告日	2015-03-11
分类号	C30B11/00;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2015-03-11

授权

状态信息

授权
2012-09-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20120201
2012-07-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法。本发明坩埚包括本体、氮化硅层和高纯隔离层，本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，氮化硅层附着在朝向收容空间的本体底座和侧壁，隔离层附着于所述氮化硅层之上，朝向收容空间内的本体底座。本发明坩埚可防止坩埚本体底座和氮化硅层中的杂质扩散进入籽晶中，从而降低硅锭尾部低少子寿命区域长度，提高硅锭利用率。同时，未熔化的籽晶，由于未受到来自杂质的污染，也可以进行重复利用，提高籽晶利用次数。

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