一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-02-03

申请公布

2016-05-11

授权

2018-04-17

预估到期

2036-02-03

专利基础信息

申请号	CN201610076381.0	申请日	2016-02-03
申请公布号	CN105568365A	申请公布日	2016-05-11
授权公布号	CN105568365B	授权公告日	2018-04-17
分类号	C30B11/14;C30B29/06;C30B28/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2018-04-17

授权

状态信息

授权
2016-06-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/14申请日:20160203
2016-05-11

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种籽晶铺设方法，用于铸造晶体硅，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部形成第一籽晶层；然后在第一籽晶层上铺设硅块，形成第二籽晶层，相邻两硅块之间留有宽度不小于1cm的缝隙，第一籽晶层和第二籽晶层构成籽晶层，籽晶层在垂直于坩埚底部的方向上没有贯通的缝隙。通过在第一籽晶层上设置第二籽晶层，在熔化阶段硅熔体不会熔到拼接缝处开始引晶，这样晶体硅不会受到拼接缝的影响；且第二籽晶层的硅料之间的缝隙宽度较大，在铸造类单晶过程中，硅熔体在该缝隙中凝固不会产生的较大的生长应力，也不会在缝隙中积聚分凝的杂质，因此可以减少位错的产生。制备得到的晶体硅位错较少，少子寿命较高，性能较好。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信