一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚

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专利状态

一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚

有效

专利申请进度

申请

2016-09-20

申请公布

2017-03-22

授权

2019-01-29

预估到期

2036-09-20

专利基础信息

申请号	CN201610834565.9	申请日	2016-09-20
申请公布号	CN106521621A	申请公布日	2017-03-22
授权公布号	CN106521621B	授权公告日	2019-01-29
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2019-01-29

授权

状态信息

授权
2017-04-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/06申请日:20160920
2017-03-22

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法，包括以下步骤：提供坩埚，坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层，阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99％以上的高纯薄片；高纯薄片的材质选自过渡金属单质、过渡金属化合物、石墨、铝的化合物和硼的化合物中的至少一种；然后在坩埚内设置熔融状态的硅料；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在坩埚侧壁设置阻挡层，可以阻挡坩埚中的杂质进入硅锭/硅熔体，降低了硅锭的红边宽度，提高了多晶硅锭的少子寿命。

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