一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片

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专利状态

一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片

有效

专利申请进度

申请

2016-02-03

申请公布

2016-05-25

授权

2018-11-06

预估到期

2036-02-03

专利基础信息

申请号	CN201610077283.9	申请日	2016-02-03
申请公布号	CN105603507A	申请公布日	2016-05-25
授权公布号	CN105603507B	授权公告日	2018-11-06
分类号	C30B11/14;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址	江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

专利法律状态

2018-11-06

授权

状态信息

授权
2016-06-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/14申请日:20160203
2016-05-25

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设第一硅材料，所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层；然后在所述第一保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；再在所述籽晶层上铺设第二硅材料，形成第二保护层。通过铺设第一保护层和第二保护层来保护籽晶，第一保护层阻隔坩埚底部杂质扩散，第二保护层阻隔硅料及坩埚中杂质气氛的杂质扩散，这二层保护层保护所述籽晶避免受到杂质的污染。本发明还提供了一种类单晶硅片及其制备方法。本发明提供的类单晶硅片位错较少、少子寿命较高，适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池光电转换效率高。

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