集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构

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专利状态

集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构

有效

专利申请进度

申请

2016-12-31

授权

2017-08-15

预估到期

2026-12-31

专利基础信息

申请号	CN201621494023.3	申请日	2016-12-31
授权公布号	CN206412360U	授权公告日	2017-08-15
分类号	H01L27/02;H01L29/06;H01L29/861
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2017-08-15

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层和绝缘介质层，第二氧化层具有隔离出二极管区域的隔离部分和环形隔离部分，环形隔离部分将二极管区域的第一多晶硅层隔离形成不相连接的二极管第一掺杂区和隔离保护环，隔离保护环不闭合，外周为圆弧面的二极管第二掺杂区连接在二极管第一掺杂区内形成横向的PN结，二极管的第一、第二电极与对应的二极管第一掺杂区、第二掺杂区连接，保护电极穿过绝缘介质层与第一多晶硅层上的隔离保护环连接，保护电极与第一电极连接形成等电位。本实用新型结构合理，能实时探测晶体管芯片温度，并能解决外界电流、电压及电场变化对温度传感二极管影响，降低制造成本。

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