一种RC-IGBT的背面设计_专利查询-品牌网

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专利状态

一种RC-IGBT的背面设计

失效

专利申请进度

申请

2017-12-22

授权

2018-07-10

预估到期

2027-12-22

专利基础信息

申请号	CN201721817507.1	申请日	2017-12-22
授权公布号	CN207602542U	授权公告日	2018-07-10
分类号	H01L21/8222;H01L21/266
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区华山中路18号

专利法律状态

2024-01-05

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L 21/8222；专利号:ZL2017218175071；申请日:20171222；授权公告日:20180710；终止日期:
2018-07-10

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种RC‑IGBT的背面设计，包括背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用，两层光刻版，第一层用于阻挡N+注入，未阻挡部分开口尺寸L1，第二层用于阻挡P+注入，阻挡部分开口尺寸L2，L1>L2，通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF，IGBT压降及snapback曲线，本实用新型结构简单，通过增加一次背面光刻注入工艺，背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合，即可实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用，增加了设计的灵活度。

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